G2K8P15S
Numéro de produit du fabricant:

G2K8P15S

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G2K8P15S-DG

Description:

MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Description détaillée:
P-Channel 2.2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventaire:

28000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13309692
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SOUMETTRE

G2K8P15S Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
310mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
4822-G2K8P15STR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMN3020UFDFQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

diodes

DMTH10H032SPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50

global-power-technologies-group

GCMX040B120S1-E1

SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227