DMN3069L-7
Numéro de produit du fabricant:

DMN3069L-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN3069L-7-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Description détaillée:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3

Inventaire:

12987352
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SOUMETTRE

DMN3069L-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
309 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
800mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
DMN3069

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMN3069L-7TR
31-DMN3069L-7DKR
31-DMN3069L-7CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
renesas-electronics-america

NP88N04NUG-S18-AY

NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF

vishay-siliconix

SIJH5700E-T1-GE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE

onsemi

FDD4243-G

FDD4243-G

international-rectifier

AUIRFC8407TR

AUIRFC8407 - 30V-250V N-CHANNEL