DMN3060LW-13
Numéro de produit du fabricant:

DMN3060LW-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN3060LW-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Description détaillée:
N-Channel 30 V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Inventaire:

12978536
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SOUMETTRE

DMN3060LW-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
395 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-323
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base
DMN3060

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
10,000
Autres noms
31-DMN3060LW-13TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3060LWQ-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
3000
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3060LWQ-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMP65H13D0HSS-13

MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

renesas-electronics-america

2SK3357-A

2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET

diodes

DMP3045LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMN2710UW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R