DMN2310UFD-7
Numéro de produit du fabricant:

DMN2310UFD-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN2310UFD-7-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Description détaillée:
N-Channel 20 V 1.7A (Ta) 670mW (Ta) Surface Mount U-DFN1212-3 (Type C)

Inventaire:

13000987
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SOUMETTRE

DMN2310UFD-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
240mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
38 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
670mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
U-DFN1212-3 (Type C)
Emballage / Caisse
3-PowerUDFN
Numéro de produit de base
DMN2310

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMN2310UFD-7TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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