PMPB07R3ENAX
Numéro de produit du fabricant:

PMPB07R3ENAX

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PMPB07R3ENAX-DG

Description:

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Description détaillée:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020M-6

Inventaire:

3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001002
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SOUMETTRE

PMPB07R3ENAX Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
914 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN2020M-6
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
1727-PMPB07R3ENAXCT
1727-PMPB07R3ENAXDKR
1727-PMPB07R3ENAXTR
5202-PMPB07R3ENAXTR
934662428184

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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