Numéro de produit du fabricant:
DMN10H220LFVW-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN10H220LFVW-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Description détaillée:
N-Channel 100 V 11A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventaire:
12979141
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SOUMETTRE
DMN10H220LFVW-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
222mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
366 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.4W (Ta), 41W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMN10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMN10H220LFVW-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN10H220LFVW-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN10H220LFVW-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.10
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMN2310UT-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
DMTH47M2SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMT10H003SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
