Numéro de produit du fabricant:
DMT6016LPSW-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT6016LPSW-13-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Description détaillée:
N-Channel 60 V 11.2A (Ta), 43A (Tc) 2.84W (Ta), 41.67W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventaire:
12949701
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMT6016LPSW-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.2A (Ta), 43A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
864 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.84W (Ta), 41.67W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DMT6016
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
DMT6016LPSW-13DI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP510DL-7
MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
DMTH6005LK3-13
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
TSM22P10CI C0G
MOSFET P-CH 100V 22A ITO220
