AOWF4N60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
640 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262F
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
AOWF4
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STI4N62K3
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STI4N62K3-DG
PRIX UNITAIRE
0.46
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
AOD4162
MOSFET N-CH 30V 16A/46A TO252
AO6403
MOSFET P-CH 30V 6A 6TSOP