Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
AOTF11N60
Product Overview
Fabricant:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AOTF11N60-DG
Description:
MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 11A 50W Through Hole TO-220F
Inventaire:
Demande de devis en ligne
13001059
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
AOTF11N60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
650mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1656 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
AOTF11
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
785-AOTF11N60
Classification environnementale et d'exportation
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHA14N60E-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1696
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHA14N60E-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.90
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
DMNH10H021SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMN65D8LT-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
NVMYS9D3N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
NVBL099N65S3
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK