IPB60R385CPATMA1
Numéro de produit du fabricant:

IPB60R385CPATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPB60R385CPATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventaire:

12843582
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IPB60R385CPATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™ CP
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 340µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
790 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB60R

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB60R385CPDKR
IPB60R385CPATMA1-DG
IPB60R385CPATMA1TR
IPB60R385CP-DG
IPB60R385CPTR-DG
IPB60R385CPDKR-DG
IPB60R385CPCT-DG
2156-IPB60R385CPATMA1TR
IPB60R385CP
IPB60R385CPCT
SP000228365
IPB60R385CPATMA1CT
IPB60R385CPATMA1DKR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STB37N60DM2AG
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STB37N60DM2AG-DG
PRIX UNITAIRE
3.16
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13NM60N
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
1000
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13NM60N-DG
PRIX UNITAIRE
2.21
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2210
NUMÉRO DE PIÈCE
STB13N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.86
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB14NK60ZT4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STB14NK60ZT4-DG
PRIX UNITAIRE
1.98
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB60R360P7ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
5559
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB60R360P7ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.66
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

SI3457DV

MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6

onsemi

NTP2955

MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB

onsemi

MCH3376-TL-W

MOSFET P-CH 20V 1.5A 3MCPH

infineon-technologies

AUXFN8403TR

MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN