Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
C3M0025065K
Product Overview
Fabricant:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
C3M0025065K-DG
Description:
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 650 V 97A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12948851
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
C3M0025065K Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Wolfspeed
Emballage
Tube
Série
C3M™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
97A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
34mOhm @ 33.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 9.22mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+19V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2980 pF @ 600 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
326W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
C3M0025065
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
C3M0025065K-DG
Fiches techniques
C3M0025065K
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
-3312-C3M0025065K
1697-C3M0025065K
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
MSC015SMA070B4
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
54
NUMÉRO DE PIÈCE
MSC015SMA070B4-DG
PRIX UNITAIRE
27.49
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
C3M0045065K
GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
IAUC100N04S6N028ATMA1
IAUC100N04S6N028ATMA1
IAUC80N04S6L032ATMA1
IAUC80N04S6L032ATMA1
IAUC120N04S6N013ATMA1
IAUC120N04S6N013ATMA1