Numéro de produit du fabricant:
SQA442EJ-T1_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQA442EJ-T1_GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6
Description détaillée:
N-Channel 60 V 9A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventaire:
13060265
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SQA442EJ-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
32mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
636 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
13.6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SC-70-6
Emballage / Caisse
PowerPAK® SC-70-6
Numéro de produit de base
SQA442
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SQA442EJ-T1_GE3CT
SQA442EJ-T1_GE3DKR
SQA442EJ-T1_GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SI7758DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI1413EDH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
SI7860ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8