SQ4483EY-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQ4483EY-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQ4483EY-T1_GE3-DG

Description:

MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

2428 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13008075
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SOUMETTRE

SQ4483EY-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4500 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SQ4483

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SQ4483EY-T1_BE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1913
NUMÉRO DE PIÈCE
SQ4483EY-T1_BE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.51
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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