Numéro de produit du fabricant:
SQ2364EES-T1_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQ2364EES-T1_GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventaire:
19217 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13058900
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SOUMETTRE
SQ2364EES-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
330 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
SQ2364
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SQ2364EES-T1_GE3CT
SQ2364EES-T1_GE3TR
SQ2364EES-T1_GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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