Numéro de produit du fabricant:
SISS27DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SISS27DN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Description détaillée:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventaire:
27000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13009806
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SOUMETTRE
SISS27DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5250 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Température de fonctionnement
-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8S
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8S
Numéro de produit de base
SISS27
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHH14N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
SUM110P04-04L-E3
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SQM40081EL_GE3
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