SIR184DP-T1-RE3
Numéro de produit du fabricant:

SIR184DP-T1-RE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIR184DP-T1-RE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 20.7A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaire:

22806 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13007589
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SOUMETTRE

SIR184DP-T1-RE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20.7A (Ta), 73A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1490 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIR184

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Certification DIGI
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