Numéro de produit du fabricant:
SIHP050N60E-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHP050N60E-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 600 V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
926 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13008667
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SIHP050N60E-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
E
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
51A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3459 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
278W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHP050
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG050N60E-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
494
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG050N60E-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
4.98
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHB22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
SQD40N06-14L_GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
SIS456DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
