Numéro de produit du fabricant:
SIHB30N60AEL-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHB30N60AEL-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Description détaillée:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
8 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13063090
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SOUMETTRE
SIHB30N60AEL-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
EL
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
28A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2565 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHB30
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SIHB30N60AEL-GE3CT
SIHB30N60AEL-GE3TR
SIHB30N60AEL-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STB35N60DM2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STB35N60DM2-DG
PRIX UNITAIRE
2.69
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB34NM60N
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STB34NM60N-DG
PRIX UNITAIRE
5.29
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB32N65M5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
1000
NUMÉRO DE PIÈCE
STB32N65M5-DG
PRIX UNITAIRE
5.37
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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