SI8469DB-T2-E1
Numéro de produit du fabricant:

SI8469DB-T2-E1

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI8469DB-T2-E1-DG

Description:

MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT
Description détaillée:
P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Inventaire:

13062100
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SOUMETTRE

SI8469DB-T2-E1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
8 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
900 pF @ 4 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-Microfoot
Emballage / Caisse
4-UFBGA
Numéro de produit de base
SI8469

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8469DB-T2-E1-ND
SI8469DB-T2-E1CT
SI8469DB-T2-E1TR
SI8469DB-T2-E1DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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