Numéro de produit du fabricant:
SI8467DB-T2-E1
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI8467DB-T2-E1-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventaire:
13058383
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI8467DB-T2-E1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
73mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
475 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-Microfoot
Emballage / Caisse
4-XFBGA, CSPBGA
Numéro de produit de base
SI8467
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8467DB-T2-E1TR
SI8467DBT2E1
SI8467DB-T2-E1CT
SI8467DB-T2-E1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI8489EDB-T2-E1
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
4861
NUMÉRO DE PIÈCE
SI8489EDB-T2-E1-DG
PRIX UNITAIRE
0.12
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
SUM75N06-09L-E3
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
SI7328DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SI7425DN-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
