Numéro de produit du fabricant:
SI7430DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7430DP-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 150 V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
6014 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13061060
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SOUMETTRE
SI7430DP-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1735 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SI7430
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7430DPT1GE3
SI7430DP-T1-GE3CT
SI7430DP-T1-GE3TR
SI7430DP-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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