Numéro de produit du fabricant:
SI4532CDY-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4532CDY-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
4029 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13055046
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SOUMETTRE
SI4532CDY-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A, 4.3A
rds activé (max) @ id, vgs
47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
305pF @ 15V
Puissance - Max
2.78W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4532
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4532CDY-T1-GE3DKR
SI4532CDY-T1-GE3CT
SI4532CDY-T1-GE3-ND
SI4532CDYT1GE3
SI4532CDY-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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