Numéro de produit du fabricant:
SI4456DY-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI4456DY-T1-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 40 V 33A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
2500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13062361
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SOUMETTRE
SI4456DY-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
33A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5670 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI4456
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SI4456DYT1E3
SI4456DY-T1-E3TR
SI4456DY-T1-E3DKR
SI4456DY-T1-E3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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