Numéro de produit du fabricant:
SI3475DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI3475DV-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Description détaillée:
P-Channel 200 V 950mA (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
13057239
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SOUMETTRE
SI3475DV-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
Emballage
Cut Tape (CT)
État de la pièce
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
950mA (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
1.61Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
500 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SI3475
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI3475DV-T1-GE3DKR
SI3475DV-T1-GE3CT
SI3475DV-T1-GE3TR
Q9162672
SI3475DVT1GE3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI3437DV-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
14589
NUMÉRO DE PIÈCE
SI3437DV-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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