Numéro de produit du fabricant:
VQ1001P-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
VQ1001P-E3-DG
Description:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
Inventaire:
12787785
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SOUMETTRE
VQ1001P-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
4 N-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
830mA
rds activé (max) @ id, vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
110pF @ 15V
Puissance - Max
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
-
Ensemble d’appareils du fournisseur
14-DIP
Numéro de produit de base
VQ1001
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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