VP0808B
Numéro de produit du fabricant:

VP0808B

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

VP0808B-DG

Description:

MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
Description détaillée:
P-Channel 80 V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39

Inventaire:

12787791
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

VP0808B Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
880mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
150 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6.25W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-39
Emballage / Caisse
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Numéro de produit de base
VP0808

Informations supplémentaires

Forfait standard
100

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SUP50010E-GE3

MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB

taiwan-semiconductor

TQM025NH04LCR-V RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

taiwan-semiconductor

TQM019NH04CR-V RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE