Numéro de produit du fabricant:
SUP85N10-10-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SUP85N10-10-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole
Inventaire:
504 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12787478
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SOUMETTRE
SUP85N10-10-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
85A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6550 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.75W (Ta), 250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SUP85
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SUP85N10-10-GE3DKR-DG
SUP85N10-10-GE3CT
SUP85N10-10-GE3DKRINACTIVE
SUP85N10-10-GE3TR
SUP85N10-10-GE3TR-DG
SUP85N10-10-GE3CT-DG
SUP85N10-10-GE3DKR
SUP85N10-10-GE3TRINACTIVE
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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