SUP70042E-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SUP70042E-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SUP70042E-GE3-DG

Description:

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-
Description détaillée:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaire:

427 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12964150
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SUP70042E-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
150A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6490 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
278W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
742-SUP70042E-GE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

NTH4L015N065SC1

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

onsemi

NVBLS1D7N08H

MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL

vishay-siliconix

SQJQ144AER-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)