Numéro de produit du fabricant:
SUP40P10-43-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SUP40P10-43-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Description détaillée:
P-Channel 100 V 36A (Tc) 2W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12920426
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SUP40P10-43-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
36A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
43mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4600 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SUP40
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
6302
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF5210PBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.00
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
SUD23N06-31L-E3
MOSFET N-CH 60V TO252
SQM50P03-07_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
