Numéro de produit du fabricant:
SUM65N20-30-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SUM65N20-30-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Description détaillée:
N-Channel 200 V 65A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
5214 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12786003
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SUM65N20-30-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SUM65
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
SUM65N20-30-E3CT
SUM65N20-30-E3-DG
SUM65N20-30-E3TR
SUM65N2030E3
SUM65N20-30-E3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SQD40131EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
SQJ454EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
SIUD406ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
