SUD20N10-66L-BE3
Numéro de produit du fabricant:

SUD20N10-66L-BE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SUD20N10-66L-BE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 16.9A (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaire:

2000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12939382
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SUD20N10-66L-BE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
66mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
860 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SUD20

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
742-SUD20N10-66L-BE3CT
742-SUD20N10-66L-BE3DKR
742-SUD20N10-66L-BE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

IRF9640PBF-BE3

MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB

vishay-siliconix

SUD50P06-15-BE3

MOSFET P-CH 60V 50A DPAK

vishay-siliconix

IRFRC20TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

vishay-siliconix

SQ2308CES-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3