Numéro de produit du fabricant:
SUD09P10-195-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SUD09P10-195-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Description détaillée:
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
30863 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12918447
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SUD09P10-195-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
195mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1055 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SUD09
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
SUD09P10-195-GE3CT
SUD09P10-195-GE3TR
SUD09P10195GE3
SUD09P10-195-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SI3434DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
SQJ414EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
SQJA80EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
