Numéro de produit du fabricant:
SUD08P06-155L-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SUD08P06-155L-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Description détaillée:
P-Channel 60 V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
18214 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12953890
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SOUMETTRE
SUD08P06-155L-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
155mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
450 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SUD08
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
SUD08P06-155L-GE3DKR
SUD08P06-155L-GE3CT
SUD08P06-155L-GE3TR
SUD08P06-155L-GE3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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