SQJQ936E-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQJQ936E-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQJQ936E-T1_GE3-DG

Description:

MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Description détaillée:
Mosfet Array 40V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual

Inventaire:

13001836
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SOUMETTRE

SQJQ936E-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
40V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
113nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6600pF @ 25V
Puissance - Max
75W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Numéro de produit de base
SQJQ936

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
742-SQJQ936E-T1_GE3DKR
742-SQJQ936E-T1_GE3CT
742-SQJQ936E-T1_GE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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