Numéro de produit du fabricant:
SQJB70EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQJB70EP-T1_GE3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
Description détaillée:
Mosfet Array 100V 11.3A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventaire:
3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12918021
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SOUMETTRE
SQJB70EP-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
100V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.3A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
95mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
220pF @ 25V
Puissance - Max
27W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8 Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8 Dual
Numéro de produit de base
SQJB70
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SQJB70EP-T1_GE3CT
SQJB70EP-T1_GE3TR
SQJB70EP-T1_GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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