Numéro de produit du fabricant:
SQJA26EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQJA26EP-T1_GE3-DG
Description:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Description détaillée:
N-Channel 30 V 410A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
12966173
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SOUMETTRE
SQJA26EP-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
410A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.77mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9778 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQJA26EP-T1_GE3CT
742-SQJA26EP-T1_GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DI050N04PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
DI040N03PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
DI110N04PQ-AQ
MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,