Numéro de produit du fabricant:
SQJ912AEP-T2_BE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQJ912AEP-T2_BE3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Description détaillée:
Mosfet Array 40V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventaire:
12939342
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SOUMETTRE
SQJ912AEP-T2_BE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
40V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
9.3mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1835pF @ 20V
Puissance - Max
48W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8 Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8 Dual
Numéro de produit de base
SQJ912
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQJ912AEP-T2_BE3CT
742-SQJ912AEP-T2_BE3TR
742-SQJ912AEP-T2_BE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SQJB04ELP-T1_GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
23483
NUMÉRO DE PIÈCE
SQJB04ELP-T1_GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
TYPE DE SUBSTITUT
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