Numéro de produit du fabricant:
SQJ184EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQJ184EP-T1_GE3-DG
Description:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Description détaillée:
N-Channel 80 V 118A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
2958 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12989653
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SOUMETTRE
SQJ184EP-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
118A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3478 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
234W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQJ184EP-T1_GE3DKR
742-SQJ184EP-T1_GE3TR
742-SQJ184EP-T1_GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHB080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
IRF840HPBF
POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
TK065U65Z,RQ
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
