Numéro de produit du fabricant:
SQD50N06-09L_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQD50N06-09L_GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Description détaillée:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
4440 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12786089
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SOUMETTRE
SQD50N06-09L_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3065 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SQD50
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
SQD50N06-09L_GE3CT
SQD50N06-09L_GE3TR
SQD50N06-09L_GE3DKR
SQD50N06-09L-GE3
SQD50N06-09L-GE3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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