SQ4184EY-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQ4184EY-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQ4184EY-T1_GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 29A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 40 V 29A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

2165 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12916506
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SQ4184EY-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.6mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5400 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
7.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SQ4184

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
SQ4184EY-T1_GE3DKR
SQ4184EY-T1_GE3TR
SQ4184EY-T1_GE3CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SQ1420EEH-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6

littelfuse

IXFN66N85X

MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B

vishay-siliconix

SIJ462DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHP15N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB