SQ4153EY-T1_BE3
Numéro de produit du fabricant:

SQ4153EY-T1_BE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQ4153EY-T1_BE3-DG

Description:

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

474 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12954970
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SOUMETTRE

SQ4153EY-T1_BE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11000 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
7.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SQ4153

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
742-SQ4153EY-T1_BE3TR-
742-SQ4153EY-T1_BE3CT
742-SQ4153EY-T1_BE3TR
742-SQ4153EY-T1_BE3DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SQ4153EY-T1_GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
560
NUMÉRO DE PIÈCE
SQ4153EY-T1_GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.57
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

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MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3

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