SQ3495EV-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQ3495EV-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQ3495EV-T1_GE3-DG

Description:

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Description détaillée:
P-Channel 30 V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventaire:

15638 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12954170
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SQ3495EV-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
21mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3950 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SQ3495

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQ3495EV-T1_GE3TR
742-SQ3495EV-T1_GE3CT
742-SQ3495EV-T1_GE3DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
nexperia

PMPB12R7EPX

PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE

microchip-technology

APT12040JVR

MOSFET N-CH 1200V 26A SOT227

onsemi

NTMFS024N06CT1G

MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AON6405L

MOSFET P-CH 30V 15A/30A 8DFN