Numéro de produit du fabricant:
SQ3481EV-T1_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQ3481EV-T1_GE3-DG
Description:
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Description détaillée:
P-Channel 30 V 7.5A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
4043 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12916914
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SQ3481EV-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Last Time Buy
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
43mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
870 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SQ3481
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SQ3481EV-T1_GE3CT
SQ3481EV-T1_GE3-DG
SQ3481EV-T1_GE3DKR
SQ3481EV-T1_GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIR880DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIHG73N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
SIHH21N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8