SQ3418AEEV-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQ3418AEEV-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQ3418AEEV-T1_GE3-DG

Description:

MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP
Description détaillée:
N-Channel 40 V 8A 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventaire:

12915797
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SOUMETTRE

SQ3418AEEV-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
528 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SQ3418

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SQ3418AEEV-T1-GE3-DG
SQ3418AEEV-T1-GE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SQ3418AEEV-T1_BE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
3000
NUMÉRO DE PIÈCE
SQ3418AEEV-T1_BE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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