Numéro de produit du fabricant:
SQ2301ES-T1_GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SQ2301ES-T1_GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Description détaillée:
P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
Inventaire:
6870 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12786214
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SOUMETTRE
SQ2301ES-T1_GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
425 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TA)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236 (SOT-23)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
SQ2301
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQ2301ES-T1_GE3DKR
742-SQ2301ES-T1_GE3CT
SQ2301ES-T1_GE3CT
742-SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR-DG
SQ2301ES-T1_GE3CT-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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