SQ1912EH-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQ1912EH-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQ1912EH-T1_GE3-DG

Description:

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6

Inventaire:

19398 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12965503
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SQ1912EH-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
800mA (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.15nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
75pF @ 10V
Puissance - Max
1.5W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70-6
Numéro de produit de base
SQ1912

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SQ1912EH-T1_GE3DKR
SQ1912EH-T1_GE3CT
SQ1912EH-T1_GE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
rohm-semi

QH8KB6TCR

MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8

rohm-semi

SH8MB5TB1

MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8SOP

vishay-siliconix

SQJ941EP-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8

rohm-semi

UT6KB5TCR

MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8