Numéro de produit du fabricant:
SIUD412ED-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIUD412ED-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Description détaillée:
N-Channel 12 V 500mA (Tc) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
Inventaire:
113371 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12787706
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SOUMETTRE
SIUD412ED-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
500mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
340mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.71 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
21 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.25W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 0806
Emballage / Caisse
PowerPAK® 0806
Numéro de produit de base
SIUD412
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIUD412ED-T1-GE3TR
SIUD412ED-T1-GE3DKR
SIUD412ED-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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