Numéro de produit du fabricant:
SISS08DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SISS08DN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Description détaillée:
N-Channel 25 V 53.9A (Ta), 195.5A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventaire:
5940 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12915778
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SOUMETTRE
SISS08DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.23mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3670 pF @ 12.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8S
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8S
Numéro de produit de base
SISS08
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SISS08DN-T1-GE3DKR
SISS08DN-T1-GE3CT
SISS08DN-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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