Numéro de produit du fabricant:
SISH106DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SISH106DN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Description détaillée:
N-Channel 20 V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventaire:
5916 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12786938
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SISH106DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8SH
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8SH
Numéro de produit de base
SISH106
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SISH106DN-T1-GE3TR
SISH106DN-T1-GE3CT
SISH106DN-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIR106DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
SIHP186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
SIHFL110TR-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
