Numéro de produit du fabricant:
SISF20DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SISF20DN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Inventaire:
12920684
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SISF20DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Ta), 52A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1290pF @ 30V
Puissance - Max
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Numéro de produit de base
SISF20
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SISF20DN-T1-GE3TR
SISF20DN-T1-GE3DKR
SISF20DN-T1-GE3CT
2266-SISF20DN-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIZ700DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
SI9933CDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
NX138AKSF
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP